Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 22 A, 20 V Enhancement PQFN IRLHS6242TRPBF
- N° de stock RS:
- 257-9444
- Référence fabricant:
- IRLHS6242TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 4000 unités)*
828,00 €
(TVA exclue)
1 000,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 0,207 € | 828,00 € |
| 8000 + | 0,202 € | 808,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9444
- Référence fabricant:
- IRLHS6242TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 9.6W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 9.6W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRLHS series is the 20V N channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 2x2 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount power package
Low RDS (on) in a small package
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHS6242TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHS6276TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHM620TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRFH6200TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V PQFN