Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH8311TRPBF
- N° de stock RS:
- 222-4747
- Référence fabricant:
- IRFH8311TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 15 unités)*
14,04 €
(TVA exclue)
16,995 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 1 425 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,936 € | 14,04 € |
| 75 - 135 | 0,891 € | 13,37 € |
| 150 - 360 | 0,871 € | 13,07 € |
| 375 - 735 | 0,815 € | 12,23 € |
| 750 + | 0,759 € | 11,39 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4747
- Référence fabricant:
- IRFH8311TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.17mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 5mm | ||
Height 1.17mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDSon (<1.15 mΩ)
Low Thermal Resistance to PCB (<0.8°C/W)
100% Rg tested
Low Profile (<0.9 mm)
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH8325TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFH8334TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN