Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 85 A, 60 V PQFN
- N° de stock RS:
- 257-5531
- Référence fabricant:
- IRFH7545TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,437 € | 1 748,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-5531
- Référence fabricant:
- IRFH7545TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.2mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 73nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.17mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PQFN | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.2mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5mm | ||
Height 1.17mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
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