Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 9 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

570,00 €

(TVA exclue)

690,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 2 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,228 €570,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
214-9039
Référence fabricant:
IPD50R650CEAUMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

CoolMOS CE

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

650mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

47W

Forward Voltage Vf

0.84V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.41mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching Super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

Easy to use/drive

Very high commutation ruggedness

Qualified for standard grade applications

Liens connexes