Infineon 500V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 2.2 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50R2K0CEAUMA1

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Référence fabricant:
IPD50R2K0CEAUMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

500V CoolMOS CE

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Forward Voltage Vf

0.83V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.42 mm

Length

6.65mm

Standards/Approvals

No

Height

2.35mm

Automotive Standard

No

This Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards.

It provides very high commutation ruggedness

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