Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD60R280CFD7ATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

11,80 €

(TVA exclue)

14,30 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 1 980 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 401,18 €11,80 €
50 - 901,121 €11,21 €
100 - 2401,074 €10,74 €
250 - 4901,027 €10,27 €
500 +0,957 €9,57 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4671
Référence fabricant:
IPD60R280CFD7ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

51W

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Height

2.41mm

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Green Product (RoHS compliant)

MSL1 up to 260°C peak reflow AEC Q101 qualified

OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications

Liens connexes