Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD02N80C3ATMA1

Sous-total (1 paquet de 15 unités)*

10,17 €

(TVA exclue)

12,30 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 340 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
15 +0,678 €10,17 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
214-4479
Numéro d'article Distrelec:
304-39-428
Référence fabricant:
SPD02N80C3ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC1

Automotive Standard

No

This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.

It has ultra low gate charge

Liens connexes

Recently viewed