Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SPD02N80C3ATMA1

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214-4479
Référence fabricant:
SPD02N80C3ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC1

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-39-428

This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.

It has ultra low gate charge

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