Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SN7002NH6327XTSA2

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 200 unités)*

4,80 €

(TVA exclue)

5,80 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 4 400 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
200 +0,024 €4,80 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
214-4476
Référence fabricant:
SN7002NH6327XTSA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

200mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

60 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.36W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, AEC Q101

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-39-427

This Infineon SIPMOS Small signal MOSFETis ideally suited for space-constrained automotive and/or non-automotive applications. They can be found in almost all applications e.g. battery protection, battery charging, LED lighting and so on.

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

Liens connexes