Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin TO-263 IRFZ46ZSTRLPBF
- N° de stock RS:
- 214-4464
- Référence fabricant:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 15 unités)*
17,28 €
(TVA exclue)
20,91 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,152 € | 17,28 € |
| 75 - 135 | 1,095 € | 16,43 € |
| 150 - 360 | 1,071 € | 16,07 € |
| 375 - 735 | 1,003 € | 15,05 € |
| 750 + | 0,933 € | 14,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4464
- Référence fabricant:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 82W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 82W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V, 3-Pin TO-263 IRFZ46ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRLZ44ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRF1405STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263 IRFS52N15DTRLP
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -55 V TO-263