Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V, 3-Pin TO-263
- N° de stock RS:
- 214-4463
- Référence fabricant:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,603 € | 482,40 € |
| 1600 - 1600 | 0,573 € | 458,40 € |
| 2400 + | 0,537 € | 429,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4463
- Référence fabricant:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.6mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 82W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.6mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 82W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Strong IRFET power MOSFET is optimized for low RDS(on) and high current capability. It is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
It is optimized for synchronous rectification
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