Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 131 A, 55 V TO-263
- N° de stock RS:
- 257-9275
- Référence fabricant:
- IRF1405STRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-9275
- Référence fabricant:
- IRF1405STRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 131A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.3mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 131A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.3mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 55V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
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