Infineon Type N-Channel MOSFET, 131 A, 55 V TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

785,60 €

(TVA exclue)

950,40 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 26 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 - 8000,982 €785,60 €
1600 +0,933 €746,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
257-9275
Référence fabricant:
IRF1405STRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

131A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.3mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

170nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 55V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

Capable of being wave soldered

Liens connexes