Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 150 V, 3-Pin TO-263

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218-3119
Référence fabricant:
IRFS52N15DTRLP
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

32mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

89nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

9.65mm

Width

4.83 mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

The Infineon IRFS series single N-channel IR MOSFET. This MOSFET is used in high frequency DC-DC converters, plasma Display Panel etc.

Lead-free

Significant reduction of switching losses

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