Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 150 V, 3-Pin TO-263
- N° de stock RS:
- 218-3119
- Référence fabricant:
- IRFS52N15DTRLP
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,035 € | 828,00 € |
| 1600 + | 1,009 € | 807,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-3119
- Référence fabricant:
- IRFS52N15DTRLP
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 32mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 89nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.65mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 32mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 89nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.65mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series single N-channel IR MOSFET. This MOSFET is used in high frequency DC-DC converters, plasma Display Panel etc.
Lead-free
Significant reduction of switching losses
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