Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 64 A, 55 V TO-263 IRFZ48NSTRLPBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

3,17 €

(TVA exclue)

3,836 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 568 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 181,585 €3,17 €
20 - 481,42 €2,84 €
50 - 981,33 €2,66 €
100 - 1981,25 €2,50 €
200 +1,16 €2,32 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
258-3990
Référence fabricant:
IRFZ48NSTRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

64A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.014Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

81nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-40-547

The Infineon HEXFET power MOSFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.

Advanced Process Technology

Surface Mount

Low-profile through-hole

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

Liens connexes