Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 131 A, 55 V TO-263 IRF1405STRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-9276
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-516
- Référence fabricant:
- IRF1405STRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-9276
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-516
- Référence fabricant:
- IRF1405STRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 131A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.3mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 131A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.3mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 55V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
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