Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

2 225,00 €

(TVA exclue)

2 690,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,445 €2 225,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
215-2472
Référence fabricant:
BSZ146N10LS5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PQFN

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figures of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(the)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.

Low R DS(on) in small package

Low gate charge

Lower output charge

Logic level compatibility

Liens connexes