Infineon Dual OptiMOS 1 Type P, Type N-Channel MOSFET Arrays, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP BSL308CH6327XTSA1

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214-4335
Numéro d'article Distrelec:
304-39-398
Référence fabricant:
BSL308CH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET Arrays

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS

Package Type

TSOP

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

57mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

0.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

-5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Length

2.9mm

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, RoHS

Height

1mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptimOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET- an n-channel and a p-channel power MOSFET within the same package-is high efficiency solution for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). It is Avalanche rated

It is 100% lead-free and RoHS compliant

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