Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 2.3 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 827-0109
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-44-429
- Référence fabricant:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 827-0109
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-44-429
- Référence fabricant:
- BSS806NEH6327XTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | OptiMOS 2 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 82mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.82V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series OptiMOS 2 | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 82mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.7nC | ||
Forward Voltage Vf 0.82V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Length 2.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
MOSFET Transistors, Infineon
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