Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Infineon BSL215CH6327XTSA1

N° de stock RS:: 166-1086
Référence fabricant:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Infineon BSL215CH6327XTSA1

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N° de stock RS:: 166-1086
Référence fabricant:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

BSL215C OptiMOS Dual Small Signal MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	1.5 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	TSOP-6
Series	OptiMOS™
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	250 mΩ, 280 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	0.6 V, 1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.7 V, 1.2V
Maximum Power Dissipation	500 mW
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs	0.73 nC @ 4.5 V, 3 nC @ 5 V
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	2
Width	1.6mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	2.9mm
Height	1mm
Forward Diode Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Infineon BSL215CH6327XTSA1

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Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET