Références fabricant

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

N° de stock RS:: 178-3722
Référence fabricant:: SQJA76EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 650,00 €

(TVA exclue)

2 010,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 29 mars 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,55 €	1 650,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 178-3722
Référence fabricant:: SQJA76EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	75A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	66W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	66nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.07mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5.99mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 75A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 66W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 66nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.07mm
	Standards/Approvals No
	Length 5.99mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

TrenchFET® power MOSFET

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.