Vishay SQJ150EP Type N-Channel MOSFET, 66 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ150EP-T1_GE3

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210-5045
Référence fabricant:
SQJ150EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SQJ150EP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.25 mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type with 66 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

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