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Vishay SQJ152ELP N-Channel MOSFET, 123 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ152ELP-T1_GE3

N° de stock RS:: 210-5047
Référence fabricant:: SQJ152ELP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQJ152ELP N-Channel MOSFET, 123 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJ152ELP-T1_GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 210-5047
Référence fabricant:: SQJ152ELP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	123A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SO-8
	Series	SQJ152ELP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	136W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.25mm
	Height	1.1mm
	Length	5mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 123A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SO-8
	Series SQJ152ELP
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 136W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.25mm
	Height 1.1mm
	Length 5mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJ152ELP-T1_GE3

The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type with 123 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

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