Références fabricant

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

N° de stock RS:: 210-4987
Référence fabricant:: SiHG186N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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Sous-total (1 tube de 25 unités)*

51,90 €

(TVA exclue)

62,80 €

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Unité	Prix par unité	le tube*
25 - 25	2,076 €	51,90 €
50 - 100	1,952 €	48,80 €
125 - 225	1,764 €	44,10 €
250 - 600	1,669 €	41,73 €
625 +	1,627 €	40,68 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 210-4987
Référence fabricant:: SiHG186N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	EF
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	168mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.58mm
	Standards/Approvals	No
	Length	33.91mm
	Width	15.29 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series EF
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 168mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.58mm
	Standards/Approvals No
	Length 33.91mm
	Width 15.29 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiHG186N60EF-GE3

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has TO-247AC package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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