Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 210-4962
- Référence fabricant:
- SiHA186N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
81,05 €
(TVA exclue)
98,05 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 950 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,621 € | 81,05 € |
| 100 - 200 | 1,524 € | 76,20 € |
| 250 - 450 | 1,378 € | 68,90 € |
| 500 + | 1,297 € | 64,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 210-4962
- Référence fabricant:
- SiHA186N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | EF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 168mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 28.1mm | |
| Width | 9.7 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series EF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 168mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 28.1mm | ||
Width 9.7 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Liens connexes
- Vishay EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 SiHA186N60EF-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SiHB186N60EF-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-247AC SiHG186N60EF-GE3
- Vishay EF Series N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SiHB28N60EF-GE3
- Vishay EF Series N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin D2PAK SIHB155N60EF-GE3
- Vishay EF Series N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-247AC SiHG33N60EF-GE3
- Vishay EF Series N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-247AC SiHG70N60EF-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220 SIHA22N60EF-GE3
