Références fabricant

Vishay EF N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG33N60EF-GE3

N° de stock RS:: 178-0893
Référence fabricant:: SIHG33N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay EF N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG33N60EF-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 178-0893
Référence fabricant:: SIHG33N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-247
	Series	EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	98mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	103nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-30V, +30V
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.31mm
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Height	20.82mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-247
	Series EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 98mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 103nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.31mm
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Height 20.82mm
	Automotive Standard No

SiHG33N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor

Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current

Low figure-of-merit (FOM)

Low input capacitance (Ciss)

Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge

Ultra low gate charge (Qg)

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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