Références fabricant

STMicroelectronics SCTH35 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH35N65G2V-7

N° de stock RS:: 201-0890
Référence fabricant:: SCTH35N65G2V-7
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCTH35 Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCTH35N65G2V-7

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 201-0890
Référence fabricant:: SCTH35N65G2V-7
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SCTH35
	Package Type	H2PAK-7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.055Ω
	Channel Mode	Enhancement

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SCTH35
	Package Type H2PAK-7
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.055Ω
	Channel Mode Enhancement

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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