Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG22N60EF-GE3
- N° de stock RS:
- 188-4992
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-38-849
- Référence fabricant:
- SIHG22N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
10,80 €
(TVA exclue)
13,06 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 448 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,40 € | 10,80 € |
| 20 - 48 | 4,86 € | 9,72 € |
| 50 - 98 | 4,59 € | 9,18 € |
| 100 - 198 | 4,315 € | 8,63 € |
| 200 + | 4,14 € | 8,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 188-4992
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-38-849
- Référence fabricant:
- SIHG22N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | SiHG22N60EF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 182mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 20.82mm | |
| Length | 15.87mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series SiHG22N60EF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 182mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 20.82mm | ||
Length 15.87mm | ||
Automotive Standard No | ||
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
APPLICATIONS
Server and telecom power supplies
Switch mode power supplies (SMPS)
Power factor correction power supplies (PFC)
Liens connexes
- Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin Super-247 SIHFPS40N60K-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG20N50E-GE3
- Vishay SiHG039N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG039N60EF-GE3
- Vishay SiHG105N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG105N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG186N60EF-GE3
- Vishay SiHG052N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG052N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3