Vishay SiHG052N60EF Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG052N60EF-GE3
- N° de stock RS:
- 204-7207
- Référence fabricant:
- SIHG052N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 7,182 € | 35,91 € |
| 10 - 20 | 6,464 € | 32,32 € |
| 25 - 45 | 6,106 € | 30,53 € |
| 50 - 120 | 5,746 € | 28,73 € |
| 125 + | 5,314 € | 26,57 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 204-7207
- Référence fabricant:
- SIHG052N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 48A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SiHG052N60EF | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 101nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.31 mm | |
| Height | 20.7mm | |
| Length | 15.87mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 48A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SiHG052N60EF | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 101nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.31 mm | ||
Height 20.7mm | ||
Length 15.87mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er)
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