Vishay SiHG039N60EF Type N-Channel MOSFET, 61 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG039N60EF-GE3

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Référence fabricant:
SIHG039N60EF-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

61A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHG039N60EF

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

84nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

357W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.87mm

Width

5.31 mm

Standards/Approvals

No

Height

20.82mm

Automotive Standard

No

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

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