Vishay SiHG22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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188-4877
Référence fabricant:
SIHG22N60EF-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

SiHG22N60EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

182mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5.31 mm

Height

20.82mm

Length

15.87mm

Automotive Standard

No

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

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