Références fabricant

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS110DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 178-3962
Référence fabricant:: SiS110DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS110DN-T1-GE3

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N° de stock RS:: 178-3962
Référence fabricant:: SiS110DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	14.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	70mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	24W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.07mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.15mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 14.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 24W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.07mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.15mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

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