Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS110DN-T1-GE3

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178-3962
Référence fabricant:
SiS110DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

14.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

24W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Width

3.15 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

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