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Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS12DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 178-3920
Référence fabricant:: SiSS12DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS12DN-T1-GE3

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

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N° de stock RS:: 178-3920
Référence fabricant:: SiSS12DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	59nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3.15mm
	Height	1.07mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3.15mm
	Height 1.07mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

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