Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252 SQD40061EL_GE3

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178-3960
Référence fabricant:
SQD40061EL_GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

185nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

107W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

6.22mm

Width

2.38 mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
TW
TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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