Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252 SQD40061EL_GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

9,79 €

(TVA exclue)

11,85 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 1 560 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 +0,979 €9,79 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
178-3960
Référence fabricant:
SQD40061EL_GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay Siliconix

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

10mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

107W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

185nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.38 mm

Height

6.22mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
TW
TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

Liens connexes

Recently viewed