Références fabricant

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252 SQD40061EL_GE3

N° de stock RS:: 178-3716
Référence fabricant:: SQD40061EL_GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252 SQD40061EL_GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 178-3716
Référence fabricant:: SQD40061EL_GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TO-252
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	107W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	185nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	-1.5V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Width	2.38mm
	Height	6.22mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TO-252
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 107W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 185nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf -1.5V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Width 2.38mm
	Height 6.22mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: TW

TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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