Références fabricant

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SQA403EJ-T1_GE3

N° de stock RS:: 178-3710
Référence fabricant:: SQA403EJ-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SQA403EJ-T1_GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

612,00 €

(TVA exclue)

741,00 €

(TVA incluse)

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3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,204 €	612,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 178-3710
Référence fabricant:: SQA403EJ-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SC-70
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	30mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	13.6W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	1.35mm
	Height	1mm
	Length	2.2mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SC-70
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 30mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 13.6W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 1.35mm
	Height 1mm
	Length 2.2mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

TrenchFET® power MOSFET

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