Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SQJ431AEP-T1_GE3

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178-3873P
Référence fabricant:
SQJ431AEP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

9.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

760mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

55nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Length

5.99mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
TrenchFET® power MOSFET

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