Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 16 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
178-3719
Référence fabricant:
SQJ481EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

16A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Width

5 mm

Length

5.99mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of20V. It has drain-source resistance of 80mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 45W and continuous drain current of 16A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

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