Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

12,61 €

(TVA exclue)

15,26 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 2 820 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 452,522 €12,61 €
50 - 952,262 €11,31 €
100 - 4952,144 €10,72 €
500 - 9952,016 €10,08 €
1000 +1,762 €8,81 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
178-3934
Référence fabricant:
SiDR392DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

900μΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

6 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.99mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Liens connexes