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Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR188DP-T1-RE3

N° de stock RS:: 178-3895
Référence fabricant:: SiR188DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR188DP-T1-RE3

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N° de stock RS:: 178-3895
Référence fabricant:: SiR188DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	29nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.99mm
	Height	1.07mm
	Width	5mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.99mm
	Height 1.07mm
	Width 5mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

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