Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7190ADP-T1-RE3
- N° de stock RS:
- 178-3875
- Référence fabricant:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay Siliconix
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
11,76 €
(TVA exclue)
14,23 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 mai 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,352 € | 11,76 € |
| 50 - 95 | 1,96 € | 9,80 € |
| 100 - 495 | 1,522 € | 7,61 € |
| 500 - 995 | 1,334 € | 6,67 € |
| 1000 + | 1,198 € | 5,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 178-3875
- Référence fabricant:
- Si7190ADP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay Siliconix
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay Siliconix | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 14.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.07mm | |
| Length | 5.99mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay Siliconix | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 14.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.07mm | ||
Length 5.99mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Low thermal resistance PowerPAK® package