Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7190ADP-T1-RE3

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N° de stock RS:
178-3875
Référence fabricant:
Si7190ADP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

14.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.9nC

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.07mm

Width

5 mm

Length

5.99mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

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