Vishay Siliconix TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIRC06DP-T1-GE3

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N° de stock RS:
178-3691
Référence fabricant:
SIRC06DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

50 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Width

5mm

Length

5.99mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

38.5 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

0.7V

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
SkyFET® with monolithic Schottky diode

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