Références fabricant

Vishay Dual TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

N° de stock RS:: 228-2924
Référence fabricant:: SiS590DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

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N° de stock RS:: 228-2924
Référence fabricant:: SiS590DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK 1212-8 Dual
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.251Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	23.1W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	RoHS
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK 1212-8 Dual
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.251Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 23.1W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals RoHS
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - SiS590DN-T1-GE3

The Vishay Combo N- & P-Channel -100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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