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Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 19 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4840BDY-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-2752
Référence fabricant:: SI4840BDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 19 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4840BDY-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

970,00 €

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2500 +	0,388 €	970,00 €

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N° de stock RS:: 165-2752
Référence fabricant:: SI4840BDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SOIC
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.012Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	6W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)
	Length	5mm
	Width	4mm
	Height	1.55mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SOIC
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.012Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 6W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS, JEDEC JS709A, Halogen Free (IEC 61249-2-21)
	Length 5mm
	Width 4mm
	Height 1.55mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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