Vishay Isolated Si4599DY 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 6.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:
165-7255
Référence fabricant:
SI4599DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOIC

Series

Si4599DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.045Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC JS709A, RoHS

Width

4 mm

Height

1.55mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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