Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:
919-4198
Référence fabricant:
SI4948BEY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.4W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.5mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
TW

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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