Vishay SiHF640L N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 SIHF640L-GE3

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

45,90 €

(TVA exclue)

55,55 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 500,918 €45,90 €
100 - 2000,863 €43,15 €
250 - 4500,78 €39,00 €
500 +0,734 €36,70 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
165-6089
Référence fabricant:
SIHF640L-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-262

Series

SiHF640L

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.67mm

Standards/Approvals

No

Width

4.83mm

Height

11.3mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.