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Vishay SiHF640L N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 SIHF640L-GE3

N° de stock RS:: 815-2635
Référence fabricant:: SIHF640L-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiHF640L N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 SIHF640L-GE3

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50 - 90	1,711 €	17,11 €
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N° de stock RS:: 815-2635
Référence fabricant:: SIHF640L-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-262
	Series	SiHF640L
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	130W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	70nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Width	4.83mm
	Standards/Approvals	No
	Height	11.3mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-262
	Series SiHF640L
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 130W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Width 4.83mm
	Standards/Approvals No
	Height 11.3mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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