Références fabricant

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263

N° de stock RS:: 228-2980
Référence fabricant:: SUM40014M-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263

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N° de stock RS:: 228-2980
Référence fabricant:: SUM40014M-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	200A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.99mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	182nC
	Forward Voltage Vf	0.72V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 200A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.99mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 182nC
	Forward Voltage Vf 0.72V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SUM40014M-GE3

The Vishay N-Channel 40-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263

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