Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Sous-total (1 tube de 800 unités)*

1 719,20 €

(TVA exclue)

2 080,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 08 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
800 +2,149 €1 719,20 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
228-2986
Référence fabricant:
SUM90100E-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-263

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

72.8nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 200-V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes