Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL4127PBF
- N° de stock RS:
- 262-6772
- Référence fabricant:
- IRFSL4127PBF
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
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| 10 - 18 | 4,62 € | 9,24 € |
| 20 - 48 | 4,315 € | 8,63 € |
| 50 - 98 | 4,00 € | 8,00 € |
| 100 + | 3,705 € | 7,41 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-6772
- Référence fabricant:
- IRFSL4127PBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-262 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.075Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-262 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
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