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Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP90100E-GE3

N° de stock RS:: 228-2991
Référence fabricant:: SUP90100E-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 150 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP90100E-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 228-2991
Référence fabricant:: SUP90100E-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-220
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Forward Voltage Vf	800mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	72.8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-220
	Series TrenchFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Forward Voltage Vf 800mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72.8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SUP90100E-GE3

The Vishay N-Channel 200 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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